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ON Semiconductor FQPF6N80T MOSFET 1

ON Semiconductor
Code art. : 563860 - 62
Réf. fab. : FQPF6N80T |  EAN : 2050003201605
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    • ON Semiconductor FQPF6N80T
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220F
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    FQPF6N80T
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-220F
    Fabricant
    ON Semiconductor
    Fab.
    OnS
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    3.3 A
    UBR DSS
    800 V
    Puissance (max) P(TOT)
    51 W
    R(DS)(on)
    1.95 Ω
    R(DS)(on) Courant de référence
    1.65 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    31 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    1500 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    QFET®
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    800 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • ON Semiconductor FQPF6N80T
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220F
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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