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ON Semiconductor FDN359BN MOSFET 1 Canal N 460 mW SSOT-3

ON Semiconductor
Code art. : 563840 - 62
Réf. fab. : FDN359BN |  EAN : 2050003201414
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  • ON Semiconductor FDN359BN MOSFET 1 Canal N 460 mW SSOT-3

Conforme RoHS

Ce produit est conforme RoHS.

(FR) Mehr erfahren
  • CHF 0.55
    TTC, hors Expédition
    Épuisé
    • ON Semiconductor FDN359BN
    • Type de boîtier (semi-conducteur): SSOT-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    FDN359BN
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    SSOT-3
    Fabricant
    ON Semiconductor
    Fab.
    OnS
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    2.7 A
    UBR DSS
    30 V
    Puissance (max) P(TOT)
    460 mW
    R(DS)(on)
    46 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    2.7 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    7 C
    Q(G) Tension de référence
    5 V
    C(ISS)
    650 pF
    C(ISS) Tension de référence
    15 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    montage en surface
    Série
    PowerTrench®
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Porte de niveau logique
    U(DSS)
    30 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • ON Semiconductor FDN359BN
    • Type de boîtier (semi-conducteur): SSOT-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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