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MOSFET Infineon Technologies IRF5210LPBF 1 Canal P 3.1 W TO-262-3 1 pc(s)

Infineon Technologies
Code art. : 563965 - 62
N° de pièce : IRF5210LPBF |  EAN : 2050003202565
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    Livraison dans 3 semaines

    • Infineon Technologies IRF5210LPBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-262-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IRF5210LPBF
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-262-3
    Fabricant
    Infineon Technologies
    Fab.
    INF
    Type de FET
    Canal P
    I(d)
    38 A
    UBR DSS
    100 V
    Puissance (max) P(TOT)
    3.1 W
    R(DS)(on)
    60 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    38 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    230 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    2780 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    HEXFET®
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • Infineon Technologies IRF5210LPBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-262-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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