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IXYS IXFH50N30Q3 MOSFET 1 Canal N<

IXYS
Code art. : 564276 - 62
Réf. fab. : IXFH50N30Q3 |  EAN : 2050003205535
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    • IXYS IXFH50N30Q3
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IXFH50N30Q3
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-247
    Fabricant
    IXYS
    Fab.
    IXY
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    50 A
    UBR DSS
    300 V
    Puissance (max) P(TOT)
    690 W
    R(DS)(on)
    80 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    25 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    6.5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    4 mA
    Q(G)
    65 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    3160 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    HiPerFET™
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    300 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • IXYS IXFH50N30Q3
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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