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IXYS IXFH26N50P MOSFET 1 Canal N 400 W TO-247

IXYS
Code art. : 564272 - 62
Réf. fab. : IXFH26N50P |  EAN : 2050003205498
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    • IXYS IXFH26N50P
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IXFH26N50P
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-247
    Fabricant
    IXYS
    Fab.
    IXY
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    26 A
    UBR DSS
    500 V
    Puissance (max) P(TOT)
    400 W
    R(DS)(on)
    230 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    13 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    4 mA
    Q(G)
    60 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    3600 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    HiPerFET™
    PolarHT™
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    500 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • IXYS IXFH26N50P
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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