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IXYS IXFB70N60Q2 MOSFET 1 Canal N<

IXYS
Code art. : 564267 - 62
N° de pièce : IXFB70N60Q2 |  EAN : 2050003205443
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    • IXYS IXFB70N60Q2
    • Type de boîtier (semi-conducteur): PLUS-264
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IXFB70N60Q2
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    PLUS-264
    Fabricant
    IXYS
    Fab.
    IXY
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    70 A
    UBR DSS
    600 V
    Puissance (max) P(TOT)
    890 W
    R(DS)(on)
    88 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    35 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    8 mA
    Q(G)
    265 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    12000 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    HiPerFET™
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • IXYS IXFB70N60Q2
    • Type de boîtier (semi-conducteur): PLUS-264
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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