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IXYS IXFB132N50P3 MOSFET 1 Canal N 1890 W PLUS-264

IXYS
Code art. : 564263 - 62
Réf. fab. : IXFB132N50P3 |  EAN : 2050003205405
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    • IXYS IXFB132N50P3
    • Type de boîtier (semi-conducteur): PLUS-264
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IXFB132N50P3
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    PLUS-264
    Fabricant
    IXYS
    Fab.
    IXY
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    132 A
    UBR DSS
    500 V
    Puissance (max) P(TOT)
    1890 W
    R(DS)(on)
    39 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    66 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    8 mA
    Q(G)
    250 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    18600 pF
    C(ISS) Tension de référence
    25 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    HiPerFET™
    Polar3™
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    500 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • IXYS IXFB132N50P3
    • Type de boîtier (semi-conducteur): PLUS-264
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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