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Infineon Technologies IRFB4020PBF MOSFET 1 Canal N 100 W TO-220AB

Infineon Technologies
Code art. : 564025 - 62
Réf. fab. : IRFB4020PBF |  EAN : 2050003203142
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    • Infineon Technologies IRFB4020PBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IRFB4020PBF
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-220AB
    Fabricant
    Infineon Technologies
    Fab.
    INF
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    18 A
    UBR DSS
    200 V
    Puissance (max) P(TOT)
    100 W
    R(DS)(on)
    100 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    11 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4.9 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    100 µA
    Q(G)
    29 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    1200 pF
    C(ISS) Tension de référence
    50 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Température de fonctionnement (max.)
    +175 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • Infineon Technologies IRFB4020PBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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