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Infineon Technologies IRF7832PBF MOSFET 1

Infineon Technologies
Code art. : 564008 - 62
Réf. fab. : IRF7832PBF |  EAN : 2050003202985
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    • Infineon Technologies IRF7832PBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IRF7832PBF
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    SOIC-8
    Fabricant
    Infineon Technologies
    Fab.
    INF
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    20 A
    UBR DSS
    30 V
    Puissance (max) P(TOT)
    2.5 W
    R(DS)(on)
    4 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    20 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.32 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    51 C
    Q(G) Tension de référence
    4.5 V
    C(ISS)
    4310 pF
    C(ISS) Tension de référence
    15 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    montage en surface
    Série
    HEXFET®
    Température de fonctionnement (max.)
    +155 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • Infineon Technologies IRF7832PBF
    • Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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