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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3

Zwei schwarze elektronische Bauteile in rechteckiger Form mit Metallanschlüssen, wahrscheinlich SMD-Dioden, auf weißem Hintergrund.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

SI2308BDS-T1-GE3

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

Vishay

Herst.-Abk.

VIS

Ausführung

N-Kanal

I(d)

2.3 A

U

60 V

Leistung (max) P(TOT)

1.66 W

R(DS)(on)

156 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

1.9 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

6.8 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

190 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

30 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

TrenchFET®

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

60 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3

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Zubehör

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