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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110G TO-220 NPN Tube

Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
2 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Lieferung Mi., 2. Dez.

350 Stück

Anzahl
Min.: 50
Vielfache: 50
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Highlights & Details

Darlington-Leistungstransistoren TIP_ TO

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Technische Daten

Verpackungsart

Tube

Typ

TIP110G

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220

Hersteller

ON Semiconductor

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

2 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

60 V

Leistung (max) P(TOT)

50 W

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

500 µA

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3027595 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110G TO-220 NPN Tube

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027595 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110G TO-220 NPN Tube

Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

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