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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape

Verpackungsart
Tape
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.2 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

ONS Darlington-Kleinleistungstransistore

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Technische Daten

Verpackungsart

Tape

Typ

bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Hersteller

ON Semiconductor

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1.2 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

30 V

Leistung (max) P(TOT)

0.625 W

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

30 µA

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape

Beschreibung

Gehäuse: TO92
Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Kollektor-Emitter-Strom: 1,2A
Montage: THT
Polarisierung: bipolar

Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

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(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)