Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA92 SOT-23 PNP
Brand: Diotec
SKU: 2810145
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Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

300 V

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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 300V, 500mA, PNP

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Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 300 V
DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 40
VCE: 10 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
IC: 20 mA
IB: 2 mA
Transitfrequenz - ft: 50 MHz
IC: 20 mA
VCE: 10 V
f: 100 MHz

Typ: MMBTA92

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: Diotec

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 300 V

VCE Sättigung (max.): 500 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.25 W

DC Stromverstärkung (hFE): 40

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2810145 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA92 SOT-23 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810145 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA92 SOT-23 PNP

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=MMBTA92, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=300 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=300 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=500 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=50 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle